工業級石墨烯 Industrial-Quality Graphene 制備方法:熱剝離還原 厚度(nm):≤3 BET比表面積(平方米/克):~ 600 電阻率(Ω?cm):0.30
單層氧化石墨烯(H法/進口) Single Layer Graphene Oxide (H Method) 制備方法:改良的H法 直徑:1~5um 厚度:0.8~1.2nm 單層比:99% 純度:99% 堆積密度:0.44g/cm3 體積密度:為0.26g/cm3
氧化石墨烯(S法/進口) Graphene Oxide (S Method) 制備方法:斯托登梅爾方法 外觀為灰綠色粉末 直徑:1~5um 厚度:0.8~1.2nm 比表面積(SSA)5-10平方米/克 單層比:>90% 氧含量:~35 wt% 堆積密度:0.013g/cm3 體積密度:0.008g/cm3 XPS評估結果(元素重量比) C1s: 65.71% N1S: 0.5% O1s: 33.
氧化石墨烯(S法/進口) Graphene Oxide (S Method) 制備方法:斯托登梅爾方法 外觀為灰綠色粉末 直徑:1~5um 厚度:0.8~1.2nm 比表面積(SSA)5-10平方米/克 單層比:>90% 氧含量:~35 wt% 堆積密度:0.013g/cm3 體積密度:0.008g/cm3 XPS評估結果(元素重量比) C1s: 65.71% N1S: 0.5% O1s: 33.