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硅基底石墨烯（1*1cm單層） Graphene on Si 表面電阻：小于600Ω/sq 定做：＜300Ω/sq 透明度： 95% 制備方法： 1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯 2）石墨烯從銅轉移到硅襯底
硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on Si 表面電阻：小于600Ω/sq 定做：＜300Ω/sq 透明度： 95% 制備方法： 1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯 2）石墨烯從銅轉移到硅襯底
二氧化硅基底石墨烯（1*1cm單層） Graphene on SiO2 表面電阻：小于600Ω/sq 定做：＜300Ω/sq 透明度： 95% 制備方法： 1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯 2）石墨烯從銅轉移到硅襯底
二氧化硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on SiO2 表面電阻：小于600Ω/sq 定做：＜300Ω/sq 透明度： 95% 制備方法： 1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯 2）石墨烯從銅轉移到硅襯底
形狀：可任意裁剪 尺寸：1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm 層數：單層 晶粒：單晶/多晶，50~300um
形狀：可任意裁剪 尺寸：1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm 層數：單層 晶粒：單晶/多晶，50~300um
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