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二硫化鉬晶體(2H-合成/99.995%/p 型) MoS2(Molybdenum Disulfide)-syn$n晶體尺寸:~10毫米$n電學性能:P型半導體$n晶體結構:六邊形$n晶胞參數:a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120°$n晶體類型:合成$n晶體純度:>99.995%
大尺寸二硫化鉬晶體(天然/99.9%) MoS2(Molybdenum Disulfide) 晶體尺寸:~10毫米- 15毫米 電學性能:半導體 晶體結構:六邊形 晶胞參數:a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型:合成 晶體純度:>99.9%
二硫化鎢鉬晶體 MoWS2(Molybdenum Tungsten Disulfide alloy) 晶體尺寸:~6毫米 電學性能:半導體 晶體結構:六邊形 晶胞參數:取決于合金成分:a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.29 nm, α = β = 90°, γ =120° 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995%
二硫化鈮晶體 3R-NbS2(Niobium Disulfide) 晶體尺寸:4毫米 電學性能:金屬 晶體結構:六邊形 晶胞參數:a = b = 0.330 nm, c = 1.792 nm, α = β = 90, γ = 120° 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995%
二硫化鉛錫晶體 PbSnS2(Lead Tin Disulfide) 晶體結構:六邊形 類型:天然晶體 尺寸:~8mm 純度:99.995% 屬性:半導體
二硫化錸晶體 ReS2 (Rhenium Disulfide) 晶體結構:三斜晶晶體尺寸:~8毫米 電學性能:N型半導體 晶體結構:三斜晶系 晶胞參數:a = 0.634, b = 0.640 nm, c = 0.645 nm, α = 106.74°, β = 119.03°, γ = 89.97° 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995%
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