13651969369
相關文章
Related Articles詳細介紹
基于SiO2/Si晶片的CVD石墨烯六方氮化硼異質結
石墨烯/h-BN薄膜的性質：
單層h-BN薄膜上的單層石墨烯薄膜轉移到285nm（p摻雜）SiO2/Si晶片上
尺寸：1cmx1cm; 8片裝
每個薄膜的厚度和質量由拉曼光譜控制
該產品的覆蓋率約為98％
薄膜是連續的，有小孔和有機殘留物
高結晶質量
石墨烯薄膜預先單層（超過95％），偶爾有少量多層（雙層小于5％）
薄層電阻：430-800Ω/平方
石墨烯薄膜以及h-BN薄膜通過CVD方法在銅箔上生長，然后轉移到SiO2/Si晶片上。
硅/二氧化硅晶圓的特性：
氧化層厚度：285nm
顏色：紫羅蘭色
晶圓厚度：525微米
電阻率：0.001-0.005歐姆 - 厘米
型號/摻雜劑：P /硼
方向：<100>
前表面：拋光
背面：蝕刻
產品咨詢
歡迎來到
聯系人：陳谷一
地址：江蘇省泰州市鳳凰西路168號
郵箱：taizhou@sunano.com.cn
電話：021-56830191
