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硒化鉍晶體(99.995) Bi2Se3

簡(jiǎn)要描述:硒化鉍晶體 Bi2Se3(Bismuth Selenide)
晶體尺寸:10毫米
電學(xué)性能:拓?fù)浣^緣體
晶體結(jié)構(gòu):菱面體
晶胞參數(shù):a = b = 0.413, c = 2.856 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%

  • 更新時(shí)間:2024-06-03
  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 訪  問(wèn)  量:1012

詳細(xì)介紹

硒化鉍晶體 Bi2Se3(Bismuth Selenide)
晶體尺寸:10毫米
電學(xué)性能:拓?fù)浣^緣體
晶體結(jié)構(gòu):菱面體
晶胞參數(shù):a = b = 0.413, c = 2.856 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%


X-ray diffraction on a Bi2Se3 single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 6 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 6, 9, 12, 15, 18, 21, 24 


XRD of a single crystal Bi2Se3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.


EDX of a single crystal Bi2Se3.


Raman of a single crystal Bi2Se3. Measurement with a 785nm Raman at room temperature.


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